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【半導体】韓日NAND型フラッシュメモリー戦争勃発

1 :ピアニカを食いちぎれ(080110)φ ★:2007/12/05(水) 13:59:08 ID:???
 次世代メモリー半導体市場をリードするNAND型フラッシュメモリーをめぐり、業界1‐3位のサムスン電子、東芝(日本)、
ハイニックス半導体が激しい競争を繰り広げている。

 NAND型フラッシュメモリーはデジタルカメラや携帯電話の記憶装置に使われるメモリー半導体で、
市場規模が2009年に212億ドル(約2兆3292億円)に達する見込みだ。パソコンに多く使われているDRAM(記憶保持動作が
必要な随時書き込み読み出しメモリー)に比べ、価格の下落幅が小さく、成長率の高いメモリー半導体メーカーが積極的に
攻勢をかけている。

 ハイニックスは4日、来年1月にNAND型フラッシュメモリー生産メーカーとして初めて最先端技術である48ナノ工程の新製品
「16ギガバイト・マルチレベルセル(MLC)」を量産すると発表した。現在、同分野で1位のサムスン電子が適用している
「16ギガバイトMLC」の51ナノ工程より10%、2位東芝の56ナノ工程より約20%生産性が高い、とハイニックスは説明した。

 ハイニックス関係者は「NAND型フラッシュ事業を始めてから4年間で最も生産性の高い量産体制を取り、同事業を
急ピッチに進めている」と話した。

 業界1位のサムスン電子も同様に、今年に入って世界初のNAND型フラッシュメモリーを搭載した64ギガバイトの
大容量記憶装置「SSD」を開発、市場形成に積極的に乗り出している。SSDは既存のコンピューターのハードディスクドライブと
同様の機能を持つ製品で、年間70%以上の市場成長が期待される分野だ。

 サムスン電子はまた、「OneNAND型フラッシュメモリー」「フレックスOneNAND」などいろいろなタイプの半導体の機能を一つに
した融合型NANDフラッシュを相次ぎ発表、差別化に乗り出している。

 NAND型フラッシュメモリーを世界で初めて開発した日本の東芝も、威信を懸けて攻勢を強めている。今年10月には、
2009年までに約8兆ウォン(約9516億円)を投入し、30ナノ工程でNAND型フラッシュメモリーを量産するという大々的な投資計画を発表。
最近、日本で大規模な新工場を完工した。

 こうした中、市場育成を目指し企業間の提携も繰り広げられている。サムスン電子と東芝は最近、サムスン電子が開発した
「OneNAND型フラッシュメモリー」「フレックスOneNAND」の製造技術を相互共有することにした。まだ普及初期の段階であることから、
提携を通じて市場を育成するという新たな利害関係が生まれた。昨年10月には、同市場6位のSTマイクロも
「OneNAND型フラッシュメモリー陣営に合流し、次世代市場対策に備えている。

卓相勲(タク・サンフン)記者

朝鮮日報/朝鮮日報JNS
http://www.chosunonline.com/article/20071205000042

2 :名前をあたえないでください:2007/12/05(水) 14:10:47 ID:XkbrjbHb
 48ナノと30ナノでは勝負にならんと思うんだが、東芝がんばれ。

3 :名前をあたえないでください:2007/12/05(水) 14:37:46 ID:7WVvz5LL





だからチョンメディアでスレ立てんなよ、チョン工作員




 


4 :名前をあたえないでください:2007/12/05(水) 15:10:22 ID:FNMiL5n3
消費者は30ナノ程度で満足してる現実

5 :名前をあたえないでください:2007/12/05(水) 15:37:26 ID:Br351DNw
30ナノのほうが古いと勘違いしていないか?↑

6 :名前をあたえないでください:2007/12/05(水) 15:56:52 ID:b44ZSkCn
な、NANDぁってー?

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